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RBR2MM30ATFTR

RBR2MM30ATFTR

僅供參考

型號 RBR2MM30ATFTR
PNEDA編號 RBR2MM30ATFTR
描述 DIODE (RECTIFIER FRD) 30V-VR 2A-
制造商 Rohm Semiconductor
單價 請求報價
庫存 26,610
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 一月 26 - 一月 31 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

RBR2MM30ATFTR資源

品牌 Rohm Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號RBR2MM30ATFTR
類別半導體二極管與整流器整流器-單

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RBR2MM30ATFTR規格

制造商Rohm Semiconductor
系列Automotive, AEC-Q101
二極管類型Schottky
電壓-直流反向(Vr)(最大值)30V
電流-平均整流(Io)2A
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果530mV @ 2A
速度Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間(trr)-
當前-反向泄漏@ Vr50µA @ 30V
電容@ Vr,F-
安裝類型Surface Mount
包裝/箱SOD-123F
供應商設備包裝PMDU
工作溫度-結點150°C (Max)

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電流-平均整流(Io)

1A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.1V @ 1A

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 400V

電容@ Vr,F

15pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

Axial, Radial Bend

供應商設備包裝

A-405

工作溫度-結點

-55°C ~ 150°C

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制造商

WeEn Semiconductors

系列

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二極管類型

Standard

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

600V

電流-平均整流(Io)

4A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.05V @ 3A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

75ns

當前-反向泄漏@ Vr

10µA @ 600V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

DO-201AD, Axial

供應商設備包裝

DO-201AD

工作溫度-結點

175°C (Max)

1N3912AR

Microsemi

制造商

Microsemi Corporation

系列

*

二極管類型

-

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

-

電流-平均整流(Io)

-

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

-

速度

-

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

-

電容@ Vr,F

-

安裝類型

-

包裝/箱

-

供應商設備包裝

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工作溫度-結點

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

650V

電流-平均整流(Io)

40A (DC)

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.7V @ 40A

速度

No Recovery Time > 500mA (Io)

反向恢復時間(trr)

0ns

當前-反向泄漏@ Vr

120µA @ 650V

電容@ Vr,F

1138pF @ 1V, 1MHz

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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制造商

Powerex Inc.

系列

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二極管類型

Standard

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

1500V

電流-平均整流(Io)

1200A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

-

速度

-

反向恢復時間(trr)

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當前-反向泄漏@ Vr

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