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RD3P050SNFRATL

RD3P050SNFRATL

僅供參考

型號 RD3P050SNFRATL
PNEDA編號 RD3P050SNFRATL
描述 RD3P050SNFRA IS A POWER MOSFET F
制造商 Rohm Semiconductor
單價 請求報價
庫存 3,888
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 二月 2 - 二月 7 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

RD3P050SNFRATL資源

品牌 Rohm Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號RD3P050SNFRATL
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單

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RD3P050SNFRATL規格

制造商Rohm Semiconductor
系列Automotive, AEC-Q101
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)100V
電流-25°C時的連續漏極(Id)5A (Ta)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)4V, 10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs190mOhm @ 5A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID2.5V @ 1mA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs14nC @ 10V
Vgs(最大)±20V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds530pF @ 25V
FET功能-
功耗(最大值)15W (Tc)
工作溫度150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝TO-252
包裝/箱TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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40V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

75A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

5mOhm @ 50A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

127nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

5000pF @ 25V

FET功能

Current Sensing

功耗(最大值)

272W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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Infineon Technologies

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FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

40V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

14A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

7V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

10mOhm @ 14A, 7V

Vgs(th)(最大)@ ID

2V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

100nC @ 7V

Vgs(最大)

±8V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

3520pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

2.5W (Ta)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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-

FET類型

N-Channel

技術

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漏極至源極電壓(Vdss)

60V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

17.5A (Ta), 85A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

6V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

3.6mOhm @ 20A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3.2V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

135nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

8140pF @ 30V

FET功能

-

功耗(最大值)

2.1W (Ta), 50W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

供應商設備包裝

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-

FET類型

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MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

100V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

900mA (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

950mOhm @ 800mA, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

3nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

160pF @ 80V

FET功能

-

功耗(最大值)

800mW (Ta), 6.2W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

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-

漏極至源極電壓(Vdss)

-

電流-25°C時的連續漏極(Id)

-

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

-

Rds On(Max)@ Id,Vgs

-

Vgs(th)(最大)@ ID

-

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

Vgs(最大)

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

FET功能

-

功耗(最大值)

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