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RDN150N20FU6

RDN150N20FU6

僅供參考

型號 RDN150N20FU6
PNEDA編號 RDN150N20FU6
描述 MOSFET N-CH 200V 15A TO-220FN
制造商 Rohm Semiconductor
單價 請求報價
庫存 5,490
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 8 - 四月 13 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

RDN150N20FU6資源

品牌 Rohm Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號RDN150N20FU6
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
RDN150N20FU6, RDN150N20FU6數據表 (總頁數: 5, 大小: 84.3 KB)
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RDN150N20FU6規格

制造商Rohm Semiconductor
系列-
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)200V
電流-25°C時的連續漏極(Id)15A (Ta)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs160mOhm @ 7.5A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID4V @ 1mA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs64nC @ 10V
Vgs(最大)±30V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds1224pF @ 10V
FET功能-
功耗(最大值)40W (Tc)
工作溫度150°C (TJ)
安裝類型Through Hole
供應商設備包裝TO-220FN
包裝/箱TO-220-3 Full Pack

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FET類型

N-Channel

技術

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漏極至源極電壓(Vdss)

40V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

50A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

3.2mOhm @ 25A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

-

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

39nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

3000pF @ 10V

FET功能

-

功耗(最大值)

65W (Tc)

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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FET類型

N-Channel

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MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

18A (Ta), 30A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

2.5V, 4.5V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

4.5mOhm @ 18A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.5V @ 11mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

39nC @ 4.5V

Vgs(最大)

±12V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

4290pF @ 15V

FET功能

-

功耗(最大值)

2W (Ta), 30W (Tc)

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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FET類型

-

技術

-

漏極至源極電壓(Vdss)

-

電流-25°C時的連續漏極(Id)

-

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

-

Rds On(Max)@ Id,Vgs

-

Vgs(th)(最大)@ ID

-

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

Vgs(最大)

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

FET功能

-

功耗(最大值)

-

工作溫度

-

安裝類型

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供應商設備包裝

-

包裝/箱

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MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

52A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

115mOhm @ 500mA, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4.5V @ 8mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

198nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

6800pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

735W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

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