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RF081MM2STR

RF081MM2STR

僅供參考

型號 RF081MM2STR
PNEDA編號 RF081MM2STR
描述 DIODE GEN PURP 200V 800MA PMDU
制造商 Rohm Semiconductor
單價 請求報價
庫存 91,620
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 1 - 十二月 6 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

RF081MM2STR資源

品牌 Rohm Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號RF081MM2STR
類別半導體二極管與整流器整流器-單
數據表
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PDFRF081MM2STR數據表 封面
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RF081MM2STR規格

制造商Rohm Semiconductor
系列-
二極管類型Standard
電壓-直流反向(Vr)(最大值)200V
電流-平均整流(Io)800mA
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果950mV @ 800mA
速度Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間(trr)25ns
當前-反向泄漏@ Vr10µA @ 200V
電容@ Vr,F-
安裝類型Surface Mount
包裝/箱SOD-123F
供應商設備包裝PMDU
工作溫度-結點150°C (Max)

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.05V @ 1.5A

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

900ns

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 600V

電容@ Vr,F

10.5pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

Surface Mount

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速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

100µA @ 90V

電容@ Vr,F

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安裝類型

Through Hole

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電流-平均整流(Io)

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.31V @ 20A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

400ns

當前-反向泄漏@ Vr

100µA @ 1000V

電容@ Vr,F

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速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

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當前-反向泄漏@ Vr

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