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RF2L6STE25

RF2L6STE25

僅供參考

型號 RF2L6STE25
PNEDA編號 RF2L6STE25
描述 DIODE GEN PURP 600V 1.5A PMDS
制造商 Rohm Semiconductor
單價 請求報價
庫存 17,736
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 28 - 十二月 3 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

RF2L6STE25資源

品牌 Rohm Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號RF2L6STE25
類別半導體二極管與整流器整流器-單
數據表
RF2L6STE25, RF2L6STE25數據表 (總頁數: 4, 大小: 352.89 KB)
PDFRF2L6STE25數據表 封面
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RF2L6STE25規格

制造商Rohm Semiconductor
系列-
二極管類型Standard
電壓-直流反向(Vr)(最大值)600V
電流-平均整流(Io)1.5A
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果1.55V @ 1.5A
速度Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間(trr)35ns
當前-反向泄漏@ Vr10µA @ 600V
電容@ Vr,F-
安裝類型Surface Mount
包裝/箱DO-214AC, SMA
供應商設備包裝PMDS
工作溫度-結點150°C (Max)

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

1200V

電流-平均整流(Io)

735A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.4V @ 2200A

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

40mA @ 1200V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Chassis Mount

包裝/箱

Module

供應商設備包裝

Module

工作溫度-結點

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制造商

Vishay Semiconductor Diodes Division

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二極管類型

Avalanche

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

200V

電流-平均整流(Io)

2A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.07V @ 3A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

25ns

當前-反向泄漏@ Vr

1µA @ 200V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

SOD-57, Axial

供應商設備包裝

SOD-57

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Taiwan Semiconductor Corporation

系列

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二極管類型

Standard

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

600V

電流-平均整流(Io)

3A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1V @ 3A

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 600V

電容@ Vr,F

25pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

DO-201AD, Axial

供應商設備包裝

DO-201AD

工作溫度-結點

-55°C ~ 150°C

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制造商

ON Semiconductor

系列

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二極管類型

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

40V

電流-平均整流(Io)

4A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

500mV @ 3A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

2mA @ 40V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

200V

電流-平均整流(Io)

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.1V @ 2A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

25ns

當前-反向泄漏@ Vr

1µA @ 200V

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