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RF4E080GNTR

RF4E080GNTR

僅供參考

型號 RF4E080GNTR
PNEDA編號 RF4E080GNTR
描述 MOSFET N-CH 30V 8A 8-HUML
制造商 Rohm Semiconductor
單價 請求報價
庫存 28,362
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 26 - 十二月 1 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

RF4E080GNTR資源

品牌 Rohm Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號RF4E080GNTR
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
RF4E080GNTR, RF4E080GNTR數據表 (總頁數: 11, 大小: 2,392.97 KB)
PDFRF4E080GNTR數據表 封面
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RF4E080GNTR規格

制造商Rohm Semiconductor
系列-
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)30V
電流-25°C時的連續漏極(Id)8A (Ta)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)4.5V, 10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs17.6mOhm @ 8A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID2.5V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs5.8nC @ 10V
Vgs(最大)±20V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds295pF @ 15V
FET功能-
功耗(最大值)2W (Ta)
工作溫度150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝HUML2020L8
包裝/箱8-PowerUDFN

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

115mA (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

7.5Ohm @ 500mA, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

50pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

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FET類型

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技術

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漏極至源極電壓(Vdss)

300V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

1.95A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

2.2Ohm @ 980mA, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

7nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

230pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

20W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

供應商設備包裝

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制造商

Infineon Technologies

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FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

200V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

7A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

400mOhm @ 4.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

530pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

40W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

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漏極至源極電壓(Vdss)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

63A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

18.5mOhm @ 25A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

53.4nC @ 5V

Vgs(最大)

±15V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

5657pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

203W (Tc)

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