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RFD3055

RFD3055

僅供參考

型號 RFD3055
PNEDA編號 RFD3055
描述 MOSFET N-CH 60V 12A IPAK
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 5,760
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 7 - 四月 12 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

RFD3055資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號RFD3055
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
RFD3055, RFD3055數據表 (總頁數: 8, 大小: 418.35 KB)
PDFRFP3055數據表 封面
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RFD3055規格

制造商ON Semiconductor
系列-
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)60V
電流-25°C時的連續漏極(Id)12A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs150mOhm @ 12A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID4V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs23nC @ 20V
Vgs(最大)±20V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds300pF @ 25V
FET功能-
功耗(最大值)53W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型Through Hole
供應商設備包裝I-PAK
包裝/箱TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

37A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

210mOhm @ 18.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

5V @ 5mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

395nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

9750pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

694W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

7A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

600mOhm @ 3A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

48nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

820pF @ 100V

FET功能

-

功耗(最大值)

78W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

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包裝/箱

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FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

650V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

30A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

99mOhm @ 15A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4.5V @ 3mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

61nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

2480pF @ 400V

FET功能

-

功耗(最大值)

227W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

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漏極至源極電壓(Vdss)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

11A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

390mOhm @ 3.8A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

32nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

670pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

40W (Tc)

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

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Vgs(th)(最大)@ ID

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