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RFD3055LESM

RFD3055LESM

僅供參考

型號 RFD3055LESM
PNEDA編號 RFD3055LESM
描述 MOSFET N-CH 60V 11A TO-252AA
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 6,660
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 二月 2 - 二月 7 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

RFD3055LESM資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號RFD3055LESM
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
RFD3055LESM, RFD3055LESM數據表 (總頁數: 8, 大小: 416.36 KB)
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RFD3055LESM規格

制造商ON Semiconductor
系列-
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)60V
電流-25°C時的連續漏極(Id)11A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)5V
Rds On(Max)@ Id,Vgs107mOhm @ 8A, 5V
Vgs(th)(最大)@ ID3V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs11.3nC @ 10V
Vgs(最大)±16V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds350pF @ 25V
FET功能-
功耗(最大值)38W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝TO-252AA
包裝/箱TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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漏極至源極電壓(Vdss)

60V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

24A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

21.8mOhm @ 15.8A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

16nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1050pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

29W (Tc)

工作溫度

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安裝類型

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供應商設備包裝

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20V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

26.5A (Ta), 34A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

2.5V, 4.5V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

4.8mOhm @ 20A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.1V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

88nC @ 4.5V

Vgs(最大)

±8V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

6560pF @ 10V

FET功能

-

功耗(最大值)

5W (Ta), 43W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

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包裝/箱

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Alpha & Omega Semiconductor

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系列

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FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

20A (Ta), 40A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

4.5mOhm @ 20A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

29nC @ 10V

Vgs(最大)

±12V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

4100pF @ 15V

FET功能

Schottky Diode (Body)

功耗(最大值)

3.1W (Ta), 36W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

55V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

30A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

23mOhm @ 21A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 50µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

32nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

901pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

100W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

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28mOhm @ 5.1A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1V @ 250µA

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18nC @ 8V

Vgs(最大)

±8V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

666pF @ 10V

FET功能

-

功耗(最大值)

1.7W (Ta), 2.7W (Tc)

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