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RFN10TF6S

RFN10TF6S

僅供參考

型號 RFN10TF6S
PNEDA編號 RFN10TF6S
描述 DIODE GEN PURP 600V 10A TO220NFM
制造商 Rohm Semiconductor
單價 請求報價
庫存 3,870
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 9 - 四月 14 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

RFN10TF6S資源

品牌 Rohm Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號RFN10TF6S
類別半導體二極管與整流器整流器-單
數據表
RFN10TF6S, RFN10TF6S數據表 (總頁數: 7, 大小: 467.34 KB)
PDFRFN10TF6S數據表 封面
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RFN10TF6S規格

制造商Rohm Semiconductor
系列-
二極管類型Standard
電壓-直流反向(Vr)(最大值)600V
電流-平均整流(Io)10A
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果1.55V @ 10A
速度Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間(trr)50ns
當前-反向泄漏@ Vr10µA @ 600V
電容@ Vr,F-
安裝類型Through Hole
包裝/箱TO-220-2
供應商設備包裝TO-220NFM
工作溫度-結點150°C (Max)

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

600V

電流-平均整流(Io)

4A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.1V @ 4A

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

2.5µs

當前-反向泄漏@ Vr

10µA @ 600V

電容@ Vr,F

30pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

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包裝/箱

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供應商設備包裝

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工作溫度-結點

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Vishay Semiconductor Diodes Division

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二極管類型

Standard

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

500V

電流-平均整流(Io)

3A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.7V @ 3A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

75ns

當前-反向泄漏@ Vr

10µA @ 500V

電容@ Vr,F

36pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

Through Hole

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

1200V

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15A (DC)

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.8V @ 15A

速度

No Recovery Time > 500mA (Io)

反向恢復時間(trr)

0ns

當前-反向泄漏@ Vr

360µA @ 1200V

電容@ Vr,F

750pF @ 1V, 1MHz

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

TO-220-2

供應商設備包裝

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

30V

電流-平均整流(Io)

1A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

550mV @ 1A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

500µA @ 30V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

100µA @ 1600V

電容@ Vr,F

-

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