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RFV12TG6SGC9

RFV12TG6SGC9

僅供參考

型號 RFV12TG6SGC9
PNEDA編號 RFV12TG6SGC9
描述 DIODE GEN PURP 600V 12A TO220AC
制造商 Rohm Semiconductor
單價 請求報價
庫存 23,640
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 30 - 十二月 5 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

RFV12TG6SGC9資源

品牌 Rohm Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號RFV12TG6SGC9
類別半導體二極管與整流器整流器-單
數據表
RFV12TG6SGC9, RFV12TG6SGC9數據表 (總頁數: 8, 大小: 399.47 KB)
PDFRFV12TG6SGC9數據表 封面
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RFV12TG6SGC9規格

制造商Rohm Semiconductor
系列-
二極管類型Standard
電壓-直流反向(Vr)(最大值)600V
電流-平均整流(Io)12A
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果2.8V @ 12A
速度Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間(trr)45ns
當前-反向泄漏@ Vr10µA @ 600V
電容@ Vr,F-
安裝類型Through Hole
包裝/箱TO-220-2
供應商設備包裝TO-220ACFP
工作溫度-結點150°C (Max)

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電流-平均整流(Io)

5A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.15V @ 5A

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

2.5µs

當前-反向泄漏@ Vr

10µA @ 1000V

電容@ Vr,F

40pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

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二極管類型

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

60V

電流-平均整流(Io)

2A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

600mV @ 2A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

100µA @ 60V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

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工作溫度-結點

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二極管類型

Schottky

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

100V

電流-平均整流(Io)

5A (DC)

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

850mV @ 5A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

500µA @ 100V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

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速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

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-

當前-反向泄漏@ Vr

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速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

10µA @ 200V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

TO-220-2

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