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RFVS8TG6SGC9

RFVS8TG6SGC9

僅供參考

型號 RFVS8TG6SGC9
PNEDA編號 RFVS8TG6SGC9
描述 DIODE GEN PURP 600V 8A TO220AC
制造商 Rohm Semiconductor
單價 請求報價
庫存 23,244
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 1 - 十二月 6 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

RFVS8TG6SGC9資源

品牌 Rohm Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號RFVS8TG6SGC9
類別半導體二極管與整流器整流器-單

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RFVS8TG6SGC9規格

制造商Rohm Semiconductor
系列-
二極管類型Standard
電壓-直流反向(Vr)(最大值)600V
電流-平均整流(Io)8A
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果3V @ 8A
速度Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間(trr)40ns
當前-反向泄漏@ Vr10µA @ 600V
電容@ Vr,F-
安裝類型Through Hole
包裝/箱TO-220-2
供應商設備包裝TO-220ACFP
工作溫度-結點150°C (Max)

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Standard

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

150V

電流-平均整流(Io)

600mA

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

950mV @ 600mA

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

15ns

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 150V

電容@ Vr,F

9pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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供應商設備包裝

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工作溫度-結點

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二極管類型

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

120V

電流-平均整流(Io)

3.9A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

830mV @ 10A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

400µA @ 120V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

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二極管類型

Schottky

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

45V

電流-平均整流(Io)

10A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

630mV @ 10A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

200µA @ 45V

電容@ Vr,F

760pF @ 5V, 1MHz

安裝類型

Surface Mount

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Standard

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

150V

電流-平均整流(Io)

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

920mV @ 1A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

15ns

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 150V

電容@ Vr,F

7pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

Surface Mount

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二極管類型

Standard

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

600V

電流-平均整流(Io)

60A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.68V @ 60A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

81ns

當前-反向泄漏@ Vr

50µA @ 600V

電容@ Vr,F

-

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