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RGP10GE-E3/91

RGP10GE-E3/91

僅供參考

型號 RGP10GE-E3/91
PNEDA編號 RGP10GE-E3-91
描述 DIODE GEN PURP 400V 1A DO204AL
制造商 Vishay Semiconductor Diodes Division
單價 請求報價
庫存 5,832
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 28 - 十二月 3 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

RGP10GE-E3/91資源

品牌 Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
制造商零件編號RGP10GE-E3/91
類別半導體二極管與整流器整流器-單
數據表
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RGP10GE-E3/91規格

制造商Vishay Semiconductor Diodes Division
系列Automotive, AEC-Q101, Superectifier®
二極管類型Standard
電壓-直流反向(Vr)(最大值)400V
電流-平均整流(Io)1A
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果1.3V @ 1A
速度Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間(trr)150ns
當前-反向泄漏@ Vr5µA @ 400V
電容@ Vr,F15pF @ 4V, 1MHz
安裝類型Through Hole
包裝/箱DO-204AL, DO-41, Axial
供應商設備包裝DO-204AL (DO-41)
工作溫度-結點-65°C ~ 175°C

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電流-平均整流(Io)

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

820mV @ 15A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 100V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

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工作溫度-結點

-65°C ~ 175°C

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制造商

Taiwan Semiconductor Corporation

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二極管類型

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

90V

電流-平均整流(Io)

16A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

850mV @ 16A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

300µA @ 90V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Through Hole

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工作溫度-結點

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

-

速度

-

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

-

電容@ Vr,F

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安裝類型

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

300V

電流-平均整流(Io)

30A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.26V @ 30A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

30ns

當前-反向泄漏@ Vr

10µA @ 300V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

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包裝/箱

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制造商

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80V

電流-平均整流(Io)

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

920mV @ 20A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

700µA @ 80V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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