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RGT16BM65DTL

RGT16BM65DTL

僅供參考

型號 RGT16BM65DTL
PNEDA編號 RGT16BM65DTL
描述 IGBT
制造商 Rohm Semiconductor
單價 請求報價
庫存 24,984
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 二月 3 - 二月 8 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

RGT16BM65DTL資源

品牌 Rohm Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號RGT16BM65DTL
類別半導體晶體管晶體管-IGBT-單

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RGT16BM65DTL規格

制造商Rohm Semiconductor
系列-
IGBT類型Trench Field Stop
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)650V
當前-集電極(Ic)(最大值)16A
電流-集電極脈沖(Icm)24A
Vce(on)(Max)@ Vge,Ic2.1V @ 15V, 8A
功率-最大94W
開關能量-
輸入類型Standard
門禁費用21nC
25°C時的Td(開/關)13ns/33ns
測試條件400V, 8A, 10Ohm, 15V
反向恢復時間(trr)42ns
工作溫度-40°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
供應商設備包裝TO-252

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IGBT類型

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

600V

當前-集電極(Ic)(最大值)

28A

電流-集電極脈沖(Icm)

40A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.7V @ 15V, 7A

功率-最大

125W

開關能量

25µJ (on), 58µJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

30nC

25°C時的Td(開/關)

7.7ns/87ns

測試條件

390V, 7A, 25Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

31ns

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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供應商設備包裝

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系列

-

IGBT類型

Trench Field Stop

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

600V

當前-集電極(Ic)(最大值)

60A

電流-集電極脈沖(Icm)

90A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.3V @ 15V, 30A

功率-最大

176W

開關能量

960µJ (on), 165µJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

37.4nC

25°C時的Td(開/關)

12ns/42.4ns

測試條件

400V, 30A, 6Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

26ns

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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供應商設備包裝

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制造商

Renesas Electronics America

系列

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IGBT類型

Trench

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

600V

當前-集電極(Ic)(最大值)

20A

電流-集電極脈沖(Icm)

-

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.5V @ 15V, 10A

功率-最大

30W

開關能量

100µJ (on), 130µJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

13nC

25°C時的Td(開/關)

30ns/42ns

測試條件

300V, 10A, 5Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

70ns

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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1700V

當前-集電極(Ic)(最大值)

60A

電流-集電極脈沖(Icm)

230A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.5V @ 15V, 24A

功率-最大

250W

開關能量

-

輸入類型

Standard

門禁費用

140nC

25°C時的Td(開/關)

-

測試條件

-

反向恢復時間(trr)

1.06µs

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