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RGT30NS65DGC9

RGT30NS65DGC9

僅供參考

型號 RGT30NS65DGC9
PNEDA編號 RGT30NS65DGC9
描述 IGBT
制造商 Rohm Semiconductor
單價 請求報價
庫存 14,280
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 9 - 四月 14 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

RGT30NS65DGC9資源

品牌 Rohm Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號RGT30NS65DGC9
類別半導體晶體管晶體管-IGBT-單

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  • RGT30NS65DGC9 Distributor

RGT30NS65DGC9規格

制造商Rohm Semiconductor
系列-
IGBT類型Trench Field Stop
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)650V
當前-集電極(Ic)(最大值)30A
電流-集電極脈沖(Icm)45A
Vce(on)(Max)@ Vge,Ic2.1V @ 15V, 15A
功率-最大133W
開關能量-
輸入類型Standard
門禁費用32nC
25°C時的Td(開/關)18ns/64ns
測試條件400V, 15A, 10Ohm, 15V
反向恢復時間(trr)55ns
工作溫度-40°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型Through Hole
包裝/箱TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
供應商設備包裝TO-262

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

600V

當前-集電極(Ic)(最大值)

13A

電流-集電極脈沖(Icm)

52A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.1V @ 15V, 6.5A

功率-最大

60W

開關能量

100µJ (on), 120µJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

27nC

25°C時的Td(開/關)

21ns/86ns

測試條件

480V, 6.5A, 50Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

-

工作溫度

-

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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12A

電流-集電極脈沖(Icm)

18A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2V @ 15V, 6A

功率-最大

77W

開關能量

56µJ (on), 122µJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

19.5nC

25°C時的Td(開/關)

27ns/75ns

測試條件

400V, 6A, 47Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

74ns

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

650V

當前-集電極(Ic)(最大值)

118A

電流-集電極脈沖(Icm)

224A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.4V @ 15V, 45A

功率-最大

543W

開關能量

-

輸入類型

Standard

門禁費用

203nC

25°C時的Td(開/關)

15ns/100ns

測試條件

433V, 45A, 4.3Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

80ns

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

供應商設備包裝

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IGBT類型

PT

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

1200V

當前-集電極(Ic)(最大值)

69A

電流-集電極脈沖(Icm)

90A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

3.9V @ 15V, 25A

功率-最大

417W

開關能量

500µJ (on), 440µJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

110nC

25°C時的Td(開/關)

12ns/70ns

測試條件

600V, 25A, 5Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

-

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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-/5µs

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