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RGT30TM65DGC9

RGT30TM65DGC9

僅供參考

型號 RGT30TM65DGC9
PNEDA編號 RGT30TM65DGC9
描述 FIELD STOP TRENCH IGBT
制造商 Rohm Semiconductor
單價 請求報價
庫存 20,760
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 6 - 十二月 11 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

RGT30TM65DGC9資源

品牌 Rohm Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號RGT30TM65DGC9
類別半導體晶體管晶體管-IGBT-單

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RGT30TM65DGC9規格

制造商Rohm Semiconductor
系列-
IGBT類型Trench Field Stop
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)650V
當前-集電極(Ic)(最大值)14A
電流-集電極脈沖(Icm)45A
Vce(on)(Max)@ Vge,Ic2.1V @ 15V, 15A
功率-最大32W
開關能量-
輸入類型Standard
門禁費用32nC
25°C時的Td(開/關)18ns/64ns
測試條件400V, 15A, 10Ohm, 15V
反向恢復時間(trr)55ns
工作溫度-40°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型Through Hole
包裝/箱TO-220-3 Full Pack
供應商設備包裝TO-220NFM

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Trench

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

600V

當前-集電極(Ic)(最大值)

90A

電流-集電極脈沖(Icm)

-

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.2V @ 15V, 50A

功率-最大

300W

開關能量

700µJ (on), 1.4mJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

125nC

25°C時的Td(開/關)

60ns/180ns

測試條件

300V, 50A, 5Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

25ns

工作溫度

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安裝類型

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Trench Field Stop

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

1200V

當前-集電極(Ic)(最大值)

60A

電流-集電極脈沖(Icm)

90A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.5V @ 15V, 30A

功率-最大

329W

開關能量

4.5mJ (on), 850µJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

330nC

25°C時的Td(開/關)

40ns/245ns

測試條件

600V, 30A, 10Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

450ns

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

TO-247-3

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

-

當前-集電極(Ic)(最大值)

-

電流-集電極脈沖(Icm)

-

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

-

功率-最大

-

開關能量

-

輸入類型

-

門禁費用

-

25°C時的Td(開/關)

-

測試條件

-

反向恢復時間(trr)

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工作溫度

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IGBT類型

-

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

1200V

當前-集電極(Ic)(最大值)

50A

電流-集電極脈沖(Icm)

150A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

3.5V @ 15V, 28A

功率-最大

250W

開關能量

2mJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

92nC

25°C時的Td(開/關)

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測試條件

960V, 28A, 5Ohm, 15V

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

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-

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1.8V @ 15V, 40A

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-

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門禁費用

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25°C時的Td(開/關)

53ns/105ns

測試條件

400V, 30A, 5Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

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