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RGT40NS65DGC9

RGT40NS65DGC9

僅供參考

型號 RGT40NS65DGC9
PNEDA編號 RGT40NS65DGC9
描述 IGBT
制造商 Rohm Semiconductor
單價 請求報價
庫存 12,234
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 6 - 四月 11 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

RGT40NS65DGC9資源

品牌 Rohm Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號RGT40NS65DGC9
類別半導體晶體管晶體管-IGBT-單

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RGT40NS65DGC9規格

制造商Rohm Semiconductor
系列-
IGBT類型Trench Field Stop
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)650V
當前-集電極(Ic)(最大值)40A
電流-集電極脈沖(Icm)60A
Vce(on)(Max)@ Vge,Ic2.1V @ 15V, 20A
功率-最大161W
開關能量-
輸入類型Standard
門禁費用40nC
25°C時的Td(開/關)22ns/75ns
測試條件400V, 20A, 10Ohm, 15V
反向恢復時間(trr)58ns
工作溫度-40°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型Through Hole
包裝/箱TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
供應商設備包裝TO-262

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13A

電流-集電極脈沖(Icm)

46A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

6V @ 15V, 4A

功率-最大

150W

開關能量

360µJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

57nC

25°C時的Td(開/關)

-/350ns

測試條件

1250V, 4A, 20Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

-

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

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當前-集電極(Ic)(最大值)

104A

電流-集電極脈沖(Icm)

208A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

1.9V @ 15V, 30A

功率-最大

330W

開關能量

45µJ (on), 125µJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

230nC

25°C時的Td(開/關)

37ns/120ns

測試條件

180V, 30A, 5Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

-

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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當前-集電極(Ic)(最大值)

28A

電流-集電極脈沖(Icm)

40A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.7V @ 15V, 7A

功率-最大

125W

開關能量

25µJ (on), 58µJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

30nC

25°C時的Td(開/關)

7.7ns/87ns

測試條件

390V, 7A, 25Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

31ns

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

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當前-集電極(Ic)(最大值)

75A

電流-集電極脈沖(Icm)

150A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.5V @ 15V, 40A

功率-最大

250W

開關能量

3mJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

200nC

25°C時的Td(開/關)

100ns/600ns

測試條件

480V, 40A, 22Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

-

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

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