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RGT8NL65DGTL

RGT8NL65DGTL

僅供參考

型號 RGT8NL65DGTL
PNEDA編號 RGT8NL65DGTL
描述 FIELD STOP TRENCH IGBT
制造商 Rohm Semiconductor
單價 請求報價
庫存 20,160
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 8 - 四月 13 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

RGT8NL65DGTL資源

品牌 Rohm Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號RGT8NL65DGTL
類別半導體晶體管晶體管-IGBT-單

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RGT8NL65DGTL規格

制造商Rohm Semiconductor
系列-
IGBT類型Trench Field Stop
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)650V
當前-集電極(Ic)(最大值)8A
電流-集電極脈沖(Icm)12A
Vce(on)(Max)@ Vge,Ic2.1V @ 15V, 4A
功率-最大65W
開關能量-
輸入類型Standard
門禁費用13.5nC
25°C時的Td(開/關)17ns/69ns
測試條件400V, 4A, 50Ohm, 15V
反向恢復時間(trr)40ns
工作溫度-40°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
供應商設備包裝LPDS

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Trench Field Stop

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

600V

當前-集電極(Ic)(最大值)

80A

電流-集電極脈沖(Icm)

240A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2V @ 15V, 60A

功率-最大

375W

開關能量

626µJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

306nC

25°C時的Td(開/關)

-/160ns

測試條件

400V, 60A, 5Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

-

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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供應商設備包裝

TO-3P

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IGBT類型

-

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

600V

當前-集電極(Ic)(最大值)

16A

電流-集電極脈沖(Icm)

30A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.8V @ 15V, 10A

功率-最大

55W

開關能量

141µJ (on), 215µJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

30nC

25°C時的Td(開/關)

15ns/36ns

測試條件

300V, 10A, 20Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

-

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

TO-220-3 Full Pack

供應商設備包裝

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IXYS

系列

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IGBT類型

NPT

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

1700V

當前-集電極(Ic)(最大值)

24A

電流-集電極脈沖(Icm)

75A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

6V @ 15V, 16A

功率-最大

250W

開關能量

2.97mJ (on), 790µJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

140nC

25°C時的Td(開/關)

21ns/336ns

測試條件

850V, 24A, 10Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

200ns

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA

供應商設備包裝

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IGBT類型

-

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

600V

當前-集電極(Ic)(最大值)

75A

電流-集電極脈沖(Icm)

150A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.5V @ 15V, 40A

功率-最大

250W

開關能量

850µJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

116nC

25°C時的Td(開/關)

25ns/100ns

測試條件

480V, 40A, 4.7Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

-

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

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