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RGT8NS65DGC9

RGT8NS65DGC9

僅供參考

型號 RGT8NS65DGC9
PNEDA編號 RGT8NS65DGC9
描述 IGBT
制造商 Rohm Semiconductor
單價 請求報價
庫存 13,104
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 8 - 四月 13 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

RGT8NS65DGC9資源

品牌 Rohm Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號RGT8NS65DGC9
類別半導體晶體管晶體管-IGBT-單

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RGT8NS65DGC9規格

制造商Rohm Semiconductor
系列-
IGBT類型Trench Field Stop
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)650V
當前-集電極(Ic)(最大值)8A
電流-集電極脈沖(Icm)12A
Vce(on)(Max)@ Vge,Ic2.1V @ 15V, 4A
功率-最大65W
開關能量-
輸入類型Standard
門禁費用13.5nC
25°C時的Td(開/關)17ns/69ns
測試條件400V, 4A, 50Ohm, 15V
反向恢復時間(trr)40ns
工作溫度-40°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型Through Hole
包裝/箱TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
供應商設備包裝TO-262

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

1000V

當前-集電極(Ic)(最大值)

20A

電流-集電極脈沖(Icm)

40A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

3.5V @ 15V, 10A

功率-最大

100W

開關能量

2mJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

52nC

25°C時的Td(開/關)

100ns/550ns

測試條件

800V, 10A, 150Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

60ns

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

650V

當前-集電極(Ic)(最大值)

100A

電流-集電極脈沖(Icm)

300A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

1.35V @ 15V, 75A

功率-最大

536W

開關能量

1.57mJ (on), 3.2mJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

436nC

25°C時的Td(開/關)

120ns/275ns

測試條件

400V, 75A, 23Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

59ns

工作溫度

-40°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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-

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

600V

當前-集電極(Ic)(最大值)

24A

電流-集電極脈沖(Icm)

96A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.2V @ 15V, 15A

功率-最大

104W

開關能量

380µJ (on), 900µJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

48nC

25°C時的Td(開/關)

-

測試條件

-

反向恢復時間(trr)

42ns

工作溫度

-40°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

TO-247-3

供應商設備包裝

TO-247-3

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

650V

當前-集電極(Ic)(最大值)

170A

電流-集電極脈沖(Icm)

360A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.3V @ 15V, 60A

功率-最大

750W

開關能量

2.8mJ (on), 1mJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

123nC

25°C時的Td(開/關)

27ns/93ns

測試條件

400V, 60A, 3Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

150ns

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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