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RGT8NS65DGTL

RGT8NS65DGTL

僅供參考

型號 RGT8NS65DGTL
PNEDA編號 RGT8NS65DGTL
描述 IGBT 650V 8A 65W TO-263S
制造商 Rohm Semiconductor
單價 請求報價
庫存 8,640
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 24 - 四月 29 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

RGT8NS65DGTL資源

品牌 Rohm Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號RGT8NS65DGTL
類別半導體晶體管晶體管-IGBT-單

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RGT8NS65DGTL規格

制造商Rohm Semiconductor
系列-
IGBT類型Trench Field Stop
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)650V
當前-集電極(Ic)(最大值)8A
電流-集電極脈沖(Icm)12A
Vce(on)(Max)@ Vge,Ic2.1V @ 15V, 4A
功率-最大65W
開關能量-
輸入類型Standard
門禁費用13.5nC
25°C時的Td(開/關)17ns/69ns
測試條件400V, 4A, 50Ohm, 15V
反向恢復時間(trr)40ns
工作溫度-40°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
供應商設備包裝LPDS (TO-263S)

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

650V

當前-集電極(Ic)(最大值)

74A

電流-集電極脈沖(Icm)

120A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.1V @ 15V, 40A

功率-最大

255W

開關能量

360µJ (on), 100µJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

95nC

25°C時的Td(開/關)

19ns/160ns

測試條件

400V, 20A, 15Ohm, 15V

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

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當前-集電極(Ic)(最大值)

55A

電流-集電極脈沖(Icm)

180A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

3.3V @ 15V, 25A

功率-最大

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

-

當前-集電極(Ic)(最大值)

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電流-集電極脈沖(Icm)

-

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

-

功率-最大

-

開關能量

-

輸入類型

-

門禁費用

-

25°C時的Td(開/關)

-

測試條件

-

反向恢復時間(trr)

-

工作溫度

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安裝類型

-

包裝/箱

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-

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

600V

當前-集電極(Ic)(最大值)

60A

電流-集電極脈沖(Icm)

120A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.9V @ 15V, 32A

功率-最大

200W

開關能量

1.8mJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

125nC

25°C時的Td(開/關)

25ns/120ns

測試條件

480V, 32A, 4.7Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

50ns

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

TO-247-3

供應商設備包裝

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Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

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門禁費用

27nC

25°C時的Td(開/關)

39ns/93ns

測試條件

480V, 6.5A, 50Ohm, 15V

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