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RGTH00TK65DGC11

RGTH00TK65DGC11

僅供參考

型號 RGTH00TK65DGC11
PNEDA編號 RGTH00TK65DGC11
描述 IGBT
制造商 Rohm Semiconductor
單價 請求報價
庫存 6,606
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 3 - 十一月 8 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

RGTH00TK65DGC11資源

品牌 Rohm Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號RGTH00TK65DGC11
類別半導體晶體管晶體管-IGBT-單

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RGTH00TK65DGC11規格

制造商Rohm Semiconductor
系列-
IGBT類型Trench Field Stop
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)650V
當前-集電極(Ic)(最大值)35A
電流-集電極脈沖(Icm)200A
Vce(on)(Max)@ Vge,Ic2.1V @ 15V, 50A
功率-最大72W
開關能量-
輸入類型Standard
門禁費用94nC
25°C時的Td(開/關)39ns/143ns
測試條件400V, 50A, 10Ohm, 15V
反向恢復時間(trr)225ns
工作溫度-40°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型Through Hole
包裝/箱TO-3PFM, SC-93-3
供應商設備包裝TO-3PFM

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430V

當前-集電極(Ic)(最大值)

20A

電流-集電極脈沖(Icm)

-

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

1.75V @ 5V, 14A

功率-最大

125W

開關能量

-

輸入類型

Logic

門禁費用

27nC

25°C時的Td(開/關)

900ns/6µs

測試條件

-

反向恢復時間(trr)

-

工作溫度

-40°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

650V

當前-集電極(Ic)(最大值)

80A

電流-集電極脈沖(Icm)

150A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.1V @ 15V, 50A

功率-最大

270W

開關能量

490µJ (on), 140µJ (off)

輸入類型

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門禁費用

108nC

25°C時的Td(開/關)

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測試條件

400V, 25A, 12Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

77ns

工作溫度

-40°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

1700V

當前-集電極(Ic)(最大值)

75A

電流-集電極脈沖(Icm)

200A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

3.3V @ 15V, 32A

功率-最大

350W

開關能量

15mJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

155nC

25°C時的Td(開/關)

45ns/270ns

測試條件

1360V, 32A, 2.7Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

150ns

工作溫度

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安裝類型

Through Hole

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

600V

當前-集電極(Ic)(最大值)

45A

電流-集電極脈沖(Icm)

120A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.7V @ 15V, 32A

功率-最大

140W

開關能量

320µJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

110nC

25°C時的Td(開/關)

25ns/85ns

測試條件

480V, 32A, 4.7Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

-

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

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