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RGTH00TS65DGC11

RGTH00TS65DGC11

僅供參考

型號 RGTH00TS65DGC11
PNEDA編號 RGTH00TS65DGC11
描述 IGBT 650V 85A 277W TO-247N
制造商 Rohm Semiconductor
單價 請求報價
庫存 5,400
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 26 - 十二月 1 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

RGTH00TS65DGC11資源

品牌 Rohm Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號RGTH00TS65DGC11
類別半導體晶體管晶體管-IGBT-單

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RGTH00TS65DGC11規格

制造商Rohm Semiconductor
系列-
IGBT類型Trench Field Stop
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)650V
當前-集電極(Ic)(最大值)85A
電流-集電極脈沖(Icm)200A
Vce(on)(Max)@ Vge,Ic2.1V @ 15V, 50A
功率-最大277W
開關能量-
輸入類型Standard
門禁費用94nC
25°C時的Td(開/關)39ns/143ns
測試條件400V, 50A, 10Ohm, 15V
反向恢復時間(trr)54ns
工作溫度-40°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型Through Hole
包裝/箱TO-247-3
供應商設備包裝TO-247N

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

600V

當前-集電極(Ic)(最大值)

25A

電流-集電極脈沖(Icm)

50A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.5V @ 15V, 7A

功率-最大

80W

開關能量

82µJ (on), 155µJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

34.4nC

25°C時的Td(開/關)

22.5ns/116ns

測試條件

390V, 7A, 10Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

37ns

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

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STMicroelectronics

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IGBT類型

-

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

600V

當前-集電極(Ic)(最大值)

40A

電流-集電極脈沖(Icm)

60A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.5V @ 15V, 12A

功率-最大

130W

開關能量

85µJ (on), 189µJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

53nC

25°C時的Td(開/關)

25ns/97ns

測試條件

390V, 12A, 10Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

31ns

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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供應商設備包裝

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

650V

當前-集電極(Ic)(最大值)

74A

電流-集電極脈沖(Icm)

120A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.1V @ 15V, 40A

功率-最大

250W

開關能量

350µJ (on), 100µJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

95nC

25°C時的Td(開/關)

19ns/165ns

測試條件

400V, 20A, 15Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

-

工作溫度

-40°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

TO-247-3

供應商設備包裝

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

600V

當前-集電極(Ic)(最大值)

23A

電流-集電極脈沖(Icm)

20A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

1.8V @ 15V, 5A

功率-最大

54.4W

開關能量

140µJ (on), 40µJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

9.4nC

25°C時的Td(開/關)

12ns/82ns

測試條件

400V, 5A, 60Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

98ns

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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