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RGTH60TK65DGC11

RGTH60TK65DGC11

僅供參考

型號 RGTH60TK65DGC11
PNEDA編號 RGTH60TK65DGC11
描述 IGBT
制造商 Rohm Semiconductor
單價 請求報價
庫存 8,244
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 三月 17 - 三月 22 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

RGTH60TK65DGC11資源

品牌 Rohm Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號RGTH60TK65DGC11
類別半導體晶體管晶體管-IGBT-單

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RGTH60TK65DGC11規格

制造商Rohm Semiconductor
系列-
IGBT類型Trench Field Stop
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)650V
當前-集電極(Ic)(最大值)28A
電流-集電極脈沖(Icm)120A
Vce(on)(Max)@ Vge,Ic2.1V @ 15V, 30A
功率-最大61W
開關能量-
輸入類型Standard
門禁費用58nC
25°C時的Td(開/關)27ns/105ns
測試條件400V, 30A, 10Ohm, 15V
反向恢復時間(trr)58ns
工作溫度-40°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型Through Hole
包裝/箱TO-3PFM, SC-93-3
供應商設備包裝TO-3PFM

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Trench

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

600V

當前-集電極(Ic)(最大值)

100A

電流-集電極脈沖(Icm)

200A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

1.7V @ 15V, 50A

功率-最大

223W

開關能量

1.1mJ (on), 1.2mJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

310nC

25°C時的Td(開/關)

117ns/285ns

測試條件

400V, 50A, 10Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

77ns

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

TO-247-3

供應商設備包裝

TO-247

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制造商

Rohm Semiconductor

系列

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IGBT類型

Trench Field Stop

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

650V

當前-集電極(Ic)(最大值)

33A

電流-集電極脈沖(Icm)

120A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

1.9V @ 15V, 30A

功率-最大

72W

開關能量

480µJ (on), 490µJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

84nC

25°C時的Td(開/關)

37ns/114ns

測試條件

400V, 30A, 10Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

-

工作溫度

-40°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

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IGBT類型

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

600V

當前-集電極(Ic)(最大值)

6.8A

電流-集電極脈沖(Icm)

27A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.6V @ 15V, 5A

功率-最大

25W

開關能量

140µJ (on), 120µJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

15nC

25°C時的Td(開/關)

40ns/87ns

測試條件

480V, 5A, 100Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

28ns

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

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Trench

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

650V

當前-集電極(Ic)(最大值)

90A

電流-集電極脈沖(Icm)

-

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.4V @ 15V, 45A

功率-最大

375W

開關能量

520µJ (on), 560µJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

127nC

25°C時的Td(開/關)

45ns/190ns

測試條件

400V, 45A, 10Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

100ns

工作溫度

175°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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供應商設備包裝

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