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RGTH60TK65GC11

RGTH60TK65GC11

僅供參考

型號 RGTH60TK65GC11
PNEDA編號 RGTH60TK65GC11
描述 IGBT
制造商 Rohm Semiconductor
單價 請求報價
庫存 8,664
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 三月 19 - 三月 24 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

RGTH60TK65GC11資源

品牌 Rohm Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號RGTH60TK65GC11
類別半導體晶體管晶體管-IGBT-單

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RGTH60TK65GC11規格

制造商Rohm Semiconductor
系列-
IGBT類型Trench Field Stop
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)650V
當前-集電極(Ic)(最大值)28A
電流-集電極脈沖(Icm)120A
Vce(on)(Max)@ Vge,Ic2.1V @ 15V, 30A
功率-最大61W
開關能量-
輸入類型Standard
門禁費用58nC
25°C時的Td(開/關)27ns/105ns
測試條件400V, 30A, 10Ohm, 15V
反向恢復時間(trr)-
工作溫度-40°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型Through Hole
包裝/箱TO-3PFM, SC-93-3
供應商設備包裝TO-3PFM

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IGBT類型

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

650V

當前-集電極(Ic)(最大值)

140A

電流-集電極脈沖(Icm)

225A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2V @ 15V, 75A

功率-最大

455W

開關能量

2.5mJ (on), 2.2mJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

210nC

25°C時的Td(開/關)

50ns/200ns

測試條件

400V, 75A, 10Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

-

工作溫度

-40°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

TO-247-3

供應商設備包裝

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STMicroelectronics

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

600V

當前-集電極(Ic)(最大值)

80A

電流-集電極脈沖(Icm)

150A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.5V @ 15V, 30A

功率-最大

310W

開關能量

330µJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

160nC

25°C時的Td(開/關)

-/145ns

測試條件

400V, 30A, 4.7Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

90ns

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

TO-247-3

供應商設備包裝

TO-247-3

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IGBT類型

NPT

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

600V

當前-集電極(Ic)(最大值)

38A

電流-集電極脈沖(Icm)

-

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.4V @ 15V, 25A

功率-最大

125W

開關能量

1.1mJ (on), 600µJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

140nC

25°C時的Td(開/關)

-

測試條件

300V, 25A, 10Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

50ns

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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供應商設備包裝

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制造商

Infineon Technologies

系列

-

IGBT類型

Trench

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

600V

當前-集電極(Ic)(最大值)

20A

電流-集電極脈沖(Icm)

40A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

1.91V @ 15V, 10A

功率-最大

101W

開關能量

29µJ (on), 200µJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

32nC

25°C時的Td(開/關)

27ns/79ns

測試條件

400V, 10A, 22Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

62ns

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

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