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RGTH80TS65DGC11

RGTH80TS65DGC11

僅供參考

型號 RGTH80TS65DGC11
PNEDA編號 RGTH80TS65DGC11
描述 IGBT 650V 70A 234W TO-247N
制造商 Rohm Semiconductor
單價 請求報價
庫存 3,924
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 三月 24 - 三月 29 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

RGTH80TS65DGC11資源

品牌 Rohm Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號RGTH80TS65DGC11
類別半導體晶體管晶體管-IGBT-單

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RGTH80TS65DGC11規格

制造商Rohm Semiconductor
系列-
IGBT類型Trench Field Stop
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)650V
當前-集電極(Ic)(最大值)70A
電流-集電極脈沖(Icm)160A
Vce(on)(Max)@ Vge,Ic2.1V @ 15V, 40A
功率-最大234W
開關能量-
輸入類型Standard
門禁費用79nC
25°C時的Td(開/關)34ns/120ns
測試條件400V, 40A, 10Ohm, 15V
反向恢復時間(trr)58ns
工作溫度-40°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型Through Hole
包裝/箱TO-247-3
供應商設備包裝TO-247N

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

600V

當前-集電極(Ic)(最大值)

40A

電流-集電極脈沖(Icm)

60A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.05V @ 15V, 20A

功率-最大

166W

開關能量

770µJ

輸入類型

Standard

門禁費用

120nC

25°C時的Td(開/關)

18ns/199ns

測試條件

400V, 20A, 12Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

41ns

工作溫度

-

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

TO-247-3

供應商設備包裝

PG-TO247-3

制造商

IXYS

系列

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IGBT類型

PT

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

600V

當前-集電極(Ic)(最大值)

75A

電流-集電極脈沖(Icm)

300A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.7V @ 15V, 50A

功率-最大

250W

開關能量

490µJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

140nC

25°C時的Td(開/關)

18ns/95ns

測試條件

400V, 50A, 2Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

35ns

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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供應商設備包裝

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制造商

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IGBT類型

-

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

650V

當前-集電極(Ic)(最大值)

80A

電流-集電極脈沖(Icm)

180A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.35V @ 15V, 40A

功率-最大

300W

開關能量

830µJ (on), 650µJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

66nC

25°C時的Td(開/關)

23ns/110ns

測試條件

400V, 30A, 10Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

40ns

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

TO-3P-3, SC-65-3

供應商設備包裝

TO-3P

制造商

IXYS

系列

GenX3™

IGBT類型

PT

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

1200V

當前-集電極(Ic)(最大值)

95A

電流-集電極脈沖(Icm)

240A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

4.2V @ 15V, 40A

功率-最大

460W

開關能量

2mJ (on), 630µJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

196nC

25°C時的Td(開/關)

31ns/123ns

測試條件

600V, 40A, 2Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

75ns

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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反向恢復時間(trr)

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