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RGW00TK65DGVC11

RGW00TK65DGVC11

僅供參考

型號 RGW00TK65DGVC11
PNEDA編號 RGW00TK65DGVC11
描述 650V 50A FIELD STOP TRENCH IGBT
制造商 Rohm Semiconductor
單價 請求報價
庫存 11,112
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 6 - 十二月 11 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

RGW00TK65DGVC11資源

品牌 Rohm Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號RGW00TK65DGVC11
類別半導體晶體管晶體管-IGBT-單

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RGW00TK65DGVC11規格

制造商Rohm Semiconductor
系列-
IGBT類型Trench Field Stop
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)650V
當前-集電極(Ic)(最大值)45A
電流-集電極脈沖(Icm)200A
Vce(on)(Max)@ Vge,Ic1.9V @ 15V, 50A
功率-最大89W
開關能量1.18mJ (on), 960µJ (off)
輸入類型Standard
門禁費用141nC
25°C時的Td(開/關)52ns/180ns
測試條件400V, 50A, 10Ohm, 15V
反向恢復時間(trr)95ns
工作溫度-40°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型Through Hole
包裝/箱TO-3PFM, SC-93-3
供應商設備包裝TO-3PFM

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

600V

當前-集電極(Ic)(最大值)

32A

電流-集電極脈沖(Icm)

36A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

1.85V @ 15V, 12A

功率-最大

140W

開關能量

75µJ (on), 225µJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

25nC

25°C時的Td(開/關)

31ns/83ns

測試條件

400V, 12A, 22Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

68ns

工作溫度

-40°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

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當前-集電極(Ic)(最大值)

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電流-集電極脈沖(Icm)

140A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

4V @ 15V, 24A

功率-最大

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開關能量

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輸入類型

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門禁費用

96nC

25°C時的Td(開/關)

16ns/155ns

測試條件

850V, 24A, 5Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

170ns

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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供應商設備包裝

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Trench

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

650V

當前-集電極(Ic)(最大值)

90A

電流-集電極脈沖(Icm)

300A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.1V @ 15V, 75A

功率-最大

395W

開關能量

880µJ (on), 520µJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

166nC

25°C時的Td(開/關)

52ns/412ns

測試條件

400V, 37.5A, 27Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

59ns

工作溫度

-40°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

650V

當前-集電極(Ic)(最大值)

-

電流-集電極脈沖(Icm)

150A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.1V @ 15V, 50A

功率-最大

270W

開關能量

490µJ (on), 140µJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

1018nC

25°C時的Td(開/關)

21ns/156ns

測試條件

400V, 25A, 12Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

-

工作溫度

-40°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

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