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RGW60TK65DGVC11

RGW60TK65DGVC11

僅供參考

型號 RGW60TK65DGVC11
PNEDA編號 RGW60TK65DGVC11
描述 650V 30A FIELD STOP TRENCH IGBT
制造商 Rohm Semiconductor
單價 請求報價
庫存 10,188
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 6 - 十二月 11 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

RGW60TK65DGVC11資源

品牌 Rohm Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號RGW60TK65DGVC11
類別半導體晶體管晶體管-IGBT-單

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RGW60TK65DGVC11規格

制造商Rohm Semiconductor
系列-
IGBT類型Trench Field Stop
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)650V
當前-集電極(Ic)(最大值)33A
電流-集電極脈沖(Icm)120A
Vce(on)(Max)@ Vge,Ic1.9V @ 15V, 30A
功率-最大72W
開關能量480µJ (on), 490µJ (off)
輸入類型Standard
門禁費用84nC
25°C時的Td(開/關)37ns/114ns
測試條件400V, 30A, 10Ohm, 15V
反向恢復時間(trr)92ns
工作溫度-40°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型Through Hole
包裝/箱TO-3PFM, SC-93-3
供應商設備包裝TO-3PFM

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電流-集電極脈沖(Icm)

380A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

3V @ 15V, 42A

功率-最大

240W

開關能量

-

輸入類型

Standard

門禁費用

200nC

25°C時的Td(開/關)

72ns/445ns

測試條件

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反向恢復時間(trr)

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工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

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輸入類型

Standard

門禁費用

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25°C時的Td(開/關)

50ns/100ns

測試條件

300V, 200A, 30Ohm, 26V

反向恢復時間(trr)

-

工作溫度

-40°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

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9.9A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.8V @ 15V, 3A

功率-最大

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開關能量

290µJ

輸入類型

Standard

門禁費用

22nC

25°C時的Td(開/關)

9.2ns/281ns

測試條件

800V, 3A, 82Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

-

工作溫度

-40°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

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