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RGW80TK65GVC11

RGW80TK65GVC11

僅供參考

型號 RGW80TK65GVC11
PNEDA編號 RGW80TK65GVC11
描述 650V 40A FIELD STOP TRENCH IGBT
制造商 Rohm Semiconductor
單價 請求報價
庫存 10,332
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 6 - 四月 11 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

RGW80TK65GVC11資源

品牌 Rohm Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號RGW80TK65GVC11
類別半導體晶體管晶體管-IGBT-單

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RGW80TK65GVC11規格

制造商Rohm Semiconductor
系列-
IGBT類型Trench Field Stop
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)650V
當前-集電極(Ic)(最大值)39A
電流-集電極脈沖(Icm)160A
Vce(on)(Max)@ Vge,Ic1.9V @ 15V, 40A
功率-最大81W
開關能量760µJ (on), 720µJ (off)
輸入類型Standard
門禁費用110nC
25°C時的Td(開/關)44ns/143ns
測試條件400V, 40A, 10Ohm, 15V
反向恢復時間(trr)-
工作溫度-40°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型Through Hole
包裝/箱TO-3PFM, SC-93-3
供應商設備包裝TO-3PFM

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Trench

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

600V

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35A

電流-集電極脈沖(Icm)

-

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

-

功率-最大

-

開關能量

-

輸入類型

Standard

門禁費用

-

25°C時的Td(開/關)

-

測試條件

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反向恢復時間(trr)

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工作溫度

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安裝類型

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

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20A

電流-集電極脈沖(Icm)

40A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

1.8V @ 15V, 10A

功率-最大

163W

開關能量

260µJ (on), 70µJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

17.4nC

25°C時的Td(開/關)

10ns/72ns

測試條件

400V, 10A, 30Ohm, 15V

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

1200V

當前-集電極(Ic)(最大值)

50A

電流-集電極脈沖(Icm)

100A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.4V @ 15V, 25A

功率-最大

428W

開關能量

1.74mJ (on), 560µJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

225nC

25°C時的Td(開/關)

40ns/490ns

測試條件

600V, 25A, 23Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

60ns

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

600V

當前-集電極(Ic)(最大值)

100A

電流-集電極脈沖(Icm)

200A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

1.9V @ 15V, 50A

功率-最大

223W

開關能量

1.1mJ (on), 600µJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

310nC

25°C時的Td(開/關)

116ns/292ns

測試條件

400V, 50A, 10Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

-

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

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Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

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