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RGW80TS65DGC11

RGW80TS65DGC11

僅供參考

型號 RGW80TS65DGC11
PNEDA編號 RGW80TS65DGC11
描述 650V 40A FIELD STOP TRENCH IGBT
制造商 Rohm Semiconductor
單價 請求報價
庫存 8,412
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 五月 6 - 五月 11 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

RGW80TS65DGC11資源

品牌 Rohm Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號RGW80TS65DGC11
類別半導體晶體管晶體管-IGBT-單

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RGW80TS65DGC11規格

制造商Rohm Semiconductor
系列-
IGBT類型Trench Field Stop
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)650V
當前-集電極(Ic)(最大值)78A
電流-集電極脈沖(Icm)160A
Vce(on)(Max)@ Vge,Ic1.9V @ 15V, 40A
功率-最大214W
開關能量760µJ (on), 720µJ (off)
輸入類型Standard
門禁費用110nC
25°C時的Td(開/關)44ns/143ns
測試條件400V, 40A, 10Ohm, 15V
反向恢復時間(trr)92ns
工作溫度-40°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型Through Hole
包裝/箱TO-247-3
供應商設備包裝TO-247N

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制造商

Infineon Technologies

系列

-

IGBT類型

-

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

600V

當前-集電極(Ic)(最大值)

16A

電流-集電極脈沖(Icm)

64A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2V @ 15V, 9A

功率-最大

60W

開關能量

250µJ (on), 640µJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

27nC

25°C時的Td(開/關)

43ns/240ns

測試條件

480V, 9A, 50Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

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工作溫度

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

650V

當前-集電極(Ic)(最大值)

16A

電流-集電極脈沖(Icm)

24A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.1V @ 15V, 8A

功率-最大

94W

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-

輸入類型

Standard

門禁費用

21nC

25°C時的Td(開/關)

13ns/33ns

測試條件

400V, 8A, 10Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

42ns

工作溫度

-40°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

供應商設備包裝

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Infineon Technologies

制造商

Infineon Technologies

系列

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IGBT類型

Trench

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

650V

當前-集電極(Ic)(最大值)

80A

電流-集電極脈沖(Icm)

150A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.1V @ 15V, 50A

功率-最大

270W

開關能量

490µJ (on), 140µJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

108nC

25°C時的Td(開/關)

21ns/156ns

測試條件

400V, 25A, 12Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

77ns

工作溫度

-40°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

TO-247-3

供應商設備包裝

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IGBT類型

-

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

650V

當前-集電極(Ic)(最大值)

450A

電流-集電極脈沖(Icm)

1200A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

1.7V @ 15V, 160A

功率-最大

1200W

開關能量

4.4mJ (on), 3.5mJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

553nC

25°C時的Td(開/關)

62ns/245ns

測試條件

400V, 100A, 1Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

76ns

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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