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RHK005N03T146

RHK005N03T146

僅供參考

型號 RHK005N03T146
PNEDA編號 RHK005N03T146
描述 MOSFET N-CH 30V 500MA SOT-346
制造商 Rohm Semiconductor
單價 請求報價
庫存 22,884
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 二月 2 - 二月 7 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

RHK005N03T146資源

品牌 Rohm Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號RHK005N03T146
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
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RHK005N03T146規格

制造商Rohm Semiconductor
系列-
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)30V
電流-25°C時的連續漏極(Id)500mA (Ta)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)4V, 10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs550mOhm @ 500mA, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID2.5V @ 1mA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs-
Vgs(最大)±20V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds45pF @ 10V
FET功能-
功耗(最大值)200mW (Ta)
工作溫度150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝SMT3
包裝/箱TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

450mA (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

2Ohm @ 1A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.4V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

75pF @ 18V

FET功能

-

功耗(最大值)

700mW (Ta)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

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漏極至源極電壓(Vdss)

20V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

7.9A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

50mOhm @ 2.8A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

950mV @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

10nC @ 4.5V

Vgs(最大)

±12V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1020pF @ 20V

FET功能

-

功耗(最大值)

5W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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FET類型

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技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

40V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

160A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

3.1mOhm @ 75A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.7V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

110nC @ 5V

Vgs(最大)

±16V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

5080pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

200W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

供應商設備包裝

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制造商

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FET類型

-

技術

-

漏極至源極電壓(Vdss)

-

電流-25°C時的連續漏極(Id)

-

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

-

Rds On(Max)@ Id,Vgs

-

Vgs(th)(最大)@ ID

-

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

Vgs(最大)

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

FET功能

-

功耗(最大值)

-

工作溫度

-

安裝類型

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

550mOhm @ 5.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

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Vgs(最大)

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