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RHRP30120-F102

RHRP30120-F102

僅供參考

型號 RHRP30120-F102
PNEDA編號 RHRP30120-F102
描述 DIODE GEN PURP 1.2KV 30A TO220-2
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 15,120
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 25 - 十一月 30 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

RHRP30120-F102資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號RHRP30120-F102
類別半導體二極管與整流器整流器-單
數據表
RHRP30120-F102, RHRP30120-F102數據表 (總頁數: 4, 大小: 581.92 KB)
PDFRHRP30120數據表 封面
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RHRP30120-F102規格

制造商ON Semiconductor
系列-
二極管類型Standard
電壓-直流反向(Vr)(最大值)1200V
電流-平均整流(Io)30A
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果3.2V @ 30A
速度Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間(trr)85ns
當前-反向泄漏@ Vr250µA @ 1200V
電容@ Vr,F-
安裝類型Through Hole
包裝/箱TO-220-2
供應商設備包裝TO-220-2
工作溫度-結點-65°C ~ 175°C

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Renesas Electronics America

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二極管類型

Standard

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

430V

電流-平均整流(Io)

20A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.8V @ 20A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

25ns

當前-反向泄漏@ Vr

1µA @ 430V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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供應商設備包裝

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工作溫度-結點

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電流-平均整流(Io)

150mA

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1V @ 10mA

速度

Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed

反向恢復時間(trr)

4ns

當前-反向泄漏@ Vr

2.5µA @ 70V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

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150°C (Max)

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Vishay Semiconductor Diodes Division

制造商

Vishay Semiconductor Diodes Division

系列

Automotive, AEC-Q100

二極管類型

Schottky

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

100V

電流-平均整流(Io)

1A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

860mV @ 2A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

1µA @ 100V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

SMA (DO-214AC)

工作溫度-結點

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二極管類型

Schottky

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

30V

電流-平均整流(Io)

3A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

510mV @ 3A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

100µA @ 30V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

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工作溫度-結點

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Vishay Semiconductor Diodes Division

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

50V

電流-平均整流(Io)

5A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

690mV @ 5A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

150µA @ 50V

電容@ Vr,F

200pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

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