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RJH60F5BDPQ-A0#T0

RJH60F5BDPQ-A0#T0

僅供參考

型號 RJH60F5BDPQ-A0#T0
PNEDA編號 RJH60F5BDPQ-A0-T0
描述 IGBT 600V 80A 260.4W TO-247A
制造商 Renesas Electronics America
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庫存 7,488
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 一月 22 - 一月 27 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

RJH60F5BDPQ-A0#T0資源

品牌 Renesas Electronics America
ECAD Module ECAD
制造商零件編號RJH60F5BDPQ-A0#T0
類別半導體晶體管晶體管-IGBT-單
數據表
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  • RJH60F5BDPQ-A0#T0 Distributor

RJH60F5BDPQ-A0#T0規格

制造商Renesas Electronics America
系列-
IGBT類型Trench
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)600V
當前-集電極(Ic)(最大值)80A
電流-集電極脈沖(Icm)-
Vce(on)(Max)@ Vge,Ic1.8V @ 15V, 40A
功率-最大260.4W
開關能量-
輸入類型Standard
門禁費用-
25°C時的Td(開/關)53ns/95ns
測試條件400V, 30A, 5Ohm, 15V
反向恢復時間(trr)25ns
工作溫度150°C (TJ)
安裝類型Through Hole
包裝/箱TO-247-3
供應商設備包裝TO-247A

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電流-集電極脈沖(Icm)

50A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.2V @ 4V, 10A

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開關能量

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

600V

當前-集電極(Ic)(最大值)

40A

電流-集電極脈沖(Icm)

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Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

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25°C時的Td(開/關)

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安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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Infineon Technologies

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

1200V

當前-集電極(Ic)(最大值)

99A

電流-集電極脈沖(Icm)

200A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.7V @ 15V, 70A

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輸入類型

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門禁費用

370nC

25°C時的Td(開/關)

51ns/280ns

測試條件

960V, 70A, 5Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

-

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

600V

當前-集電極(Ic)(最大值)

12A

電流-集電極脈沖(Icm)

18A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.1V @ 15V, 6A

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門禁費用

48nC

25°C時的Td(開/關)

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測試條件

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反向恢復時間(trr)

68ns

工作溫度

-

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Through Hole

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