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RJK03C1DPB-00#J5

RJK03C1DPB-00#J5

僅供參考

型號 RJK03C1DPB-00#J5
PNEDA編號 RJK03C1DPB-00-J5
描述 MOSFET N-CH 30V 60A LFPAK
制造商 Renesas Electronics America
單價 請求報價
庫存 8,892
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 26 - 十二月 1 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

RJK03C1DPB-00#J5資源

品牌 Renesas Electronics America
ECAD Module ECAD
制造商零件編號RJK03C1DPB-00#J5
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
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RJK03C1DPB-00#J5規格

制造商Renesas Electronics America
系列-
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)30V
電流-25°C時的連續漏極(Id)60A (Ta)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)4.5V, 10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs2.2mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID-
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs42nC @ 4.5V
Vgs(最大)±20V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds6000pF @ 10V
FET功能Schottky Diode (Body)
功耗(最大值)65W (Tc)
工作溫度150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝LFPAK
包裝/箱SC-100, SOT-669

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

7.6A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

24mOhm @ 10A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

16nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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100V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

270mA (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

4.2Ohm @ 500mA, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

1.8nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

87pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

380mW (Ta)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

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11A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

750mOhm @ 5.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

130nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

4700pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

300W (Tc)

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

180mOhm @ 9.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

60nC @ 10V

Vgs(最大)

±25V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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FET功能

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功耗(最大值)

150W (Tc)

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