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RJK0652DPB-00#J5

RJK0652DPB-00#J5

僅供參考

型號 RJK0652DPB-00#J5
PNEDA編號 RJK0652DPB-00-J5
描述 MOSFET N-CH 60V 35A LFPAK
制造商 Renesas Electronics America
單價 請求報價
庫存 3,960
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 4 - 十二月 9 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

RJK0652DPB-00#J5資源

品牌 Renesas Electronics America
ECAD Module ECAD
制造商零件編號RJK0652DPB-00#J5
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
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RJK0652DPB-00#J5規格

制造商Renesas Electronics America
系列-
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)60V
電流-25°C時的連續漏極(Id)35A (Ta)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)4.5V, 10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs7mOhm @ 17.5A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID-
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs29nC @ 4.5V
Vgs(最大)±20V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds4100pF @ 10V
FET功能-
功耗(最大值)55W (Tc)
工作溫度150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝LFPAK
包裝/箱SC-100, SOT-669

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30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

38.3A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

7.5mOhm @ 10A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

21.5nC @ 10V

Vgs(最大)

+20V, -16V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1000pF @ 15V

FET功能

-

功耗(最大值)

3.2W (Ta), 19.8W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

16V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

9.6A (Ta), 51A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

8.75mOhm @ 15A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

12.8nC @ 4.5V

Vgs(最大)

±16V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

963pF @ 12V

FET功能

-

功耗(最大值)

1.2W (Ta), 34.9W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

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30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

32A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

3.8mOhm @ 14A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

110nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

5400pF @ 15V

FET功能

-

功耗(最大值)

7.1W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

2.5A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

170mOhm @ 1.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

5.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

39nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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FET功能

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功耗(最大值)

2.5W (Ta)

工作溫度

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Vgs(th)(最大)@ ID

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Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

5300pF @ 40V

FET功能

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功耗(最大值)

1.6W (Ta), 78W (Tc)

工作溫度

150°C (TJ)

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