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RJK4002DPP-M0#T2

RJK4002DPP-M0#T2

僅供參考

型號 RJK4002DPP-M0#T2
PNEDA編號 RJK4002DPP-M0-T2
描述 MOSFET N-CH 400V 3A TO220
制造商 Renesas Electronics America
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庫存 6,246
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 一月 29 - 二月 3 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

RJK4002DPP-M0#T2資源

品牌 Renesas Electronics America
ECAD Module ECAD
制造商零件編號RJK4002DPP-M0#T2
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
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RJK4002DPP-M0#T2規格

制造商Renesas Electronics America
系列-
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)400V
電流-25°C時的連續漏極(Id)3A (Ta)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs2.9Ohm @ 1.5A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID-
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs6nC @ 100V
Vgs(最大)±30V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds165pF @ 25V
FET功能-
功耗(最大值)20W (Tc)
工作溫度150°C (TJ)
安裝類型Through Hole
供應商設備包裝TO-220FL
包裝/箱TO-220-3 Full Pack

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技術

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650V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

16.6A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

210mOhm @ 7.3A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4.5V @ 700µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

68nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1850pF @ 100V

FET功能

-

功耗(最大值)

151W (Tc)

工作溫度

-40°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

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Microchip Technology

系列

-

FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

500V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

50mA (Tj)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

60Ohm @ 50mA, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

55pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

1W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

供應商設備包裝

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包裝/箱

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制造商

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系列

-

FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

100V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

350mA (Tj)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

3Ohm @ 500mA, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2V @ 500µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

60pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

1W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

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FET類型

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技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

40V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

23A (Ta), 100A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

2.6mOhm @ 50A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

32nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

2300pF @ 20V

FET功能

-

功耗(最大值)

2.5W (Ta), 63W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

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Vgs(th)(最大)@ ID

1V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

33nC @ 4.5V

Vgs(最大)

±16V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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FET功能

-

功耗(最大值)

94W (Tc)

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