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RJK5012DPE-00#J3

RJK5012DPE-00#J3

僅供參考

型號 RJK5012DPE-00#J3
PNEDA編號 RJK5012DPE-00-J3
描述 MOSFET N-CH 500V 12A LDPAK
制造商 Renesas Electronics America
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庫存 8,352
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 一月 27 - 二月 1 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

RJK5012DPE-00#J3資源

品牌 Renesas Electronics America
ECAD Module ECAD
制造商零件編號RJK5012DPE-00#J3
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
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RJK5012DPE-00#J3規格

制造商Renesas Electronics America
系列-
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)500V
電流-25°C時的連續漏極(Id)12A (Ta)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs620mOhm @ 6A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID-
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs29nC @ 10V
Vgs(最大)±30V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds1100pF @ 25V
FET功能-
功耗(最大值)100W (Tc)
工作溫度150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝4-LDPAK
包裝/箱SC-83

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技術

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75V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

120A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

5.8mOhm @ 75A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 150µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

110nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

4750pF @ 50V

FET功能

-

功耗(最大值)

230W (Tc)

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安裝類型

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

38.8A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

65mOhm @ 19.4A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3.7V @ 1.9mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

110nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

4100pF @ 300V

FET功能

Super Junction

功耗(最大值)

270W (Tc)

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

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FET類型

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技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

50V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

100mA (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

1.5V, 4V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

7.8Ohm @ 50mA, 4V

Vgs(th)(最大)@ ID

-

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

1.57nC @ 10V

Vgs(最大)

±10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

6.6pF @ 10V

FET功能

-

功耗(最大值)

250mW (Ta)

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

27A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

25mOhm @ 7A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

22nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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FET功能

-

功耗(最大值)

2.8W (Ta)

工作溫度

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安裝類型

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Vgs(th)(最大)@ ID

2V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

Vgs(最大)

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輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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FET功能

-

功耗(最大值)

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