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RJK5018DPK-00#T0

RJK5018DPK-00#T0

僅供參考

型號 RJK5018DPK-00#T0
PNEDA編號 RJK5018DPK-00-T0
描述 MOSFET N-CH 500V 35A TO3P
制造商 Renesas Electronics America
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庫存 6,696
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 22 - 十一月 27 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

RJK5018DPK-00#T0資源

品牌 Renesas Electronics America
ECAD Module ECAD
制造商零件編號RJK5018DPK-00#T0
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
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RJK5018DPK-00#T0規格

制造商Renesas Electronics America
系列-
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)500V
電流-25°C時的連續漏極(Id)35A (Ta)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs155mOhm @ 17.5A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID-
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs104nC @ 10V
Vgs(最大)±30V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds4100pF @ 25V
FET功能-
功耗(最大值)200W (Tc)
工作溫度150°C (TJ)
安裝類型Through Hole
供應商設備包裝TO-3P
包裝/箱TO-3P-3, SC-65-3

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3A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

180mOhm @ 2A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

10nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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FET功能

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FET類型

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漏極至源極電壓(Vdss)

100V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

180A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

4.3mOhm @ 110A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

130nC @ 4.5V

Vgs(最大)

±16V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

11360pF @ 50V

FET功能

-

功耗(最大值)

370W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

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1000V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

10A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

1.2Ohm @ 5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4.5V @ 4mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

155nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

4000pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

300W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

15A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

6V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

4.7mOhm @ 80A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

138nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

6600pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

310W (Tc)

工作溫度

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安裝類型

Through Hole

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±20V

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