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RJK5026DPP-E0#T2

RJK5026DPP-E0#T2

僅供參考

型號 RJK5026DPP-E0#T2
PNEDA編號 RJK5026DPP-E0-T2
描述 MOSFET N-CH 500V 6A TO220
制造商 Renesas Electronics America
單價 請求報價
庫存 2,664
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 23 - 十一月 28 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

RJK5026DPP-E0#T2資源

品牌 Renesas Electronics America
ECAD Module ECAD
制造商零件編號RJK5026DPP-E0#T2
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
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RJK5026DPP-E0#T2規格

制造商Renesas Electronics America
系列-
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)500V
電流-25°C時的連續漏極(Id)6A (Ta)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs1.7Ohm @ 3A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID-
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs14nC @ 10V
Vgs(最大)±30V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds440pF @ 25V
FET功能-
功耗(最大值)28.5W (Tc)
工作溫度150°C (TJ)
安裝類型Through Hole
供應商設備包裝TO-220FP
包裝/箱TO-220-3 Full Pack

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45A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

72mOhm @ 40A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

5V @ 8mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

197nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

12700pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

360W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

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11A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

8mOhm @ 16A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

1V @ 250µA (Min)

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

18nC @ 4.5V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

FET功能

-

功耗(最大值)

1.6W (Ta)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

80A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

3.7mOhm @ 80A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

148nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

4400pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

300W (Tc)

工作溫度

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

2.2mOhm @ 25A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.1V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

87.8nC @ 5V

Vgs(最大)

±10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

13160pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

293W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

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