RJM0603JSC-00#12
僅供參考
| 型號 | RJM0603JSC-00#12 |
| PNEDA編號 | RJM0603JSC-00-12 |
| 描述 | MOSFET 3N/3P-CH 60V 20A HSOP |
| 制造商 | Renesas Electronics America |
| 單價 | 請求報價 |
| 庫存 | 2,754 |
| 倉庫 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 預計交貨 | 三月 15 - 三月 20 (選擇加急運輸) |
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RJM0603JSC-00#12資源
| 品牌 | Renesas Electronics America |
| ECAD Module |
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| 制造商零件編號 | RJM0603JSC-00#12 |
| 類別 | 半導體 › 晶體管 › 晶體管-FET，MOSFET-陣列 |
| 數據表 |
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RJM0603JSC-00#12規格
| 制造商 | Renesas Electronics America |
| 系列 | Automotive, AEC-Q101 |
| FET類型 | 3 N and 3 P-Channel (3-Phase Bridge) |
| FET功能 | Logic Level Gate, 4.5V Drive |
| 漏極至源極電壓（Vdss） | 60V |
| 電流-25°C時的連續漏極（Id） | 20A |
| Rds On（Max）@ Id，Vgs | 20mOhm @ 10A, 10V |
| Vgs（th）（最大）@ ID | 2.5V @ 1mA |
| 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs | 43nC @ 10V |
| 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds | 2600pF @ 10V |
| 功率-最大 | 54W |
| 工作溫度 | 175°C |
| 安裝類型 | Surface Mount |
| 包裝/箱 | 20-SOIC (0.433", 11.00mm Width) Exposed Pad |
| 供應商設備包裝 | 20-HSOP |
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