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RJP020N06T100

RJP020N06T100

僅供參考

型號 RJP020N06T100
PNEDA編號 RJP020N06T100
描述 MOSFET N-CH 60V 2A SOT-89
制造商 Rohm Semiconductor
單價 請求報價
庫存 12,486
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 二月 1 - 二月 6 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

RJP020N06T100資源

品牌 Rohm Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號RJP020N06T100
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
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RJP020N06T100規格

制造商Rohm Semiconductor
系列-
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)60V
電流-25°C時的連續漏極(Id)2A (Ta)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)2.5V, 4.5V
Rds On(Max)@ Id,Vgs240mOhm @ 2A, 4.5V
Vgs(th)(最大)@ ID1.5V @ 1mA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs10nC @ 4V
Vgs(最大)±12V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds160pF @ 10V
FET功能-
功耗(最大值)500mW (Ta)
工作溫度150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝MPT3
包裝/箱TO-243AA

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技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

60V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

25.5A (Ta), 60A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

7.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

3.85mOhm @ 10A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3.6V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

44nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1920pF @ 30V

FET功能

-

功耗(最大值)

5W (Ta), 65.7W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

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FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

60V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

100A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

5V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

4.4mOhm @ 25A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.1V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

65nC @ 5V

Vgs(最大)

±10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

9710pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

234W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

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包裝/箱

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

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制造商

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-

FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

250V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

1.2A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

2.4Ohm @ 600mA, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3.5V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

4.2nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

210pF @ 20V

FET功能

-

功耗(最大值)

3.5W (Tc)

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

60V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

200mA (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

5Ohm @ 500mA, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.8V @ 26µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

1.5nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

45pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

360mW (Ta)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

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Vgs(th)(最大)@ ID

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Vgs(最大)

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輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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FET功能

-

功耗(最大值)

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