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RJP65T43DPQ-A0#T2

RJP65T43DPQ-A0#T2

僅供參考

型號 RJP65T43DPQ-A0#T2
PNEDA編號 RJP65T43DPQ-A0-T2
描述 IGBT TRENCH 650V 60A TO247A
制造商 Renesas Electronics America
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庫存 4,176
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 一月 21 - 一月 26 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

RJP65T43DPQ-A0#T2資源

品牌 Renesas Electronics America
ECAD Module ECAD
制造商零件編號RJP65T43DPQ-A0#T2
類別半導體晶體管晶體管-IGBT-單
數據表
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RJP65T43DPQ-A0#T2規格

制造商Renesas Electronics America
系列-
IGBT類型Trench
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)650V
當前-集電極(Ic)(最大值)60A
電流-集電極脈沖(Icm)-
Vce(on)(Max)@ Vge,Ic2.4V @ 15V, 20A
功率-最大150W
開關能量170µJ (on), 130µJ (off)
輸入類型Standard
門禁費用69nC
25°C時的Td(開/關)35ns/105ns
測試條件400V, 20A, 10Ohm, 15V
反向恢復時間(trr)-
工作溫度175°C (TJ)
安裝類型Through Hole
包裝/箱TO-247-3
供應商設備包裝TO-247A

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Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.7V @ 15V, 2A

功率-最大

25W

開關能量

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輸入類型

Standard

門禁費用

7.8nC

25°C時的Td(開/關)

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輸入類型

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門禁費用

30nC

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測試條件

390V, 7A, 25Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

31ns

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

TO-247-3

供應商設備包裝

TO-247-3

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

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當前-集電極(Ic)(最大值)

20A

電流-集電極脈沖(Icm)

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Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

1.9V @ 4.5V, 20A

功率-最大

125W

開關能量

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輸入類型

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門禁費用

-

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-/5µs

測試條件

300V, 9A, 1kOhm, 5V

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安裝類型

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Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.75V @ 15V, 12A

功率-最大

125W

開關能量

165µJ (on), 255µJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

55nC

25°C時的Td(開/關)

30ns/105ns

測試條件

480V, 12A, 10Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

31ns

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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