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RJP65T54DPM-E0#T2

RJP65T54DPM-E0#T2

僅供參考

型號 RJP65T54DPM-E0#T2
PNEDA編號 RJP65T54DPM-E0-T2
描述 IGBT TRENCH TO-3FP
制造商 Renesas Electronics America
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庫存 8,712
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 一月 31 - 二月 5 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

RJP65T54DPM-E0#T2資源

品牌 Renesas Electronics America
ECAD Module ECAD
制造商零件編號RJP65T54DPM-E0#T2
類別半導體晶體管晶體管-IGBT-單

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RJP65T54DPM-E0#T2規格

制造商Renesas Electronics America
系列-
IGBT類型Trench
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)650V
當前-集電極(Ic)(最大值)60A
電流-集電極脈沖(Icm)225A
Vce(on)(Max)@ Vge,Ic1.68V @ 15V, 30A
功率-最大63.5W
開關能量330µJ (on), 760µJ (off)
輸入類型Standard
門禁費用72nC
25°C時的Td(開/關)35ns/120ns
測試條件400V, 30A, 10Ohm, 15V
反向恢復時間(trr)-
工作溫度175°C (TJ)
安裝類型Through Hole
包裝/箱TO-3PFM, SC-93-3
供應商設備包裝TO-3PF

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40A

電流-集電極脈沖(Icm)

80A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2V @ 4.5V, 20A

功率-最大

150W

開關能量

11.8mJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

51nC

25°C時的Td(開/關)

2.3µs/11.5µs

測試條件

250V, 20A, 1kOhm, 4.5V

反向恢復時間(trr)

-

工作溫度

175°C (TJ)

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

600V

當前-集電極(Ic)(最大值)

75A

電流-集電極脈沖(Icm)

250A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.5V @ 15V, 30A

功率-最大

300W

開關能量

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輸入類型

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反向恢復時間(trr)

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-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

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電流-集電極脈沖(Icm)

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Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

1.6V @ 4V, 6A

功率-最大

150W

開關能量

-

輸入類型

Logic

門禁費用

17nC

25°C時的Td(開/關)

-/4.8µs

測試條件

300V, 1kOhm, 5V

反向恢復時間(trr)

-

工作溫度

-40°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

650V

當前-集電極(Ic)(最大值)

60A

電流-集電極脈沖(Icm)

120A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2V @ 15V, 30A

功率-最大

260W

開關能量

293µJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

149nC

25°C時的Td(開/關)

-/146ns

測試條件

400V, 30A, 10Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

140ns

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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