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RJU003N03T106

RJU003N03T106

僅供參考

型號 RJU003N03T106
PNEDA編號 RJU003N03T106
描述 MOSFET N-CH 30V 300MA SOT-323
制造商 Rohm Semiconductor
單價 請求報價
庫存 385,392
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 20 - 十二月 25 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

RJU003N03T106資源

品牌 Rohm Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號RJU003N03T106
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
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RJU003N03T106規格

制造商Rohm Semiconductor
系列-
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)30V
電流-25°C時的連續漏極(Id)300mA (Ta)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)2.5V, 4.5V
Rds On(Max)@ Id,Vgs1.1Ohm @ 300mA, 4.5V
Vgs(th)(最大)@ ID1.5V @ 1mA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs-
Vgs(最大)±12V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds24pF @ 10V
FET功能-
功耗(最大值)200mW (Ta)
工作溫度150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝UMT3
包裝/箱SC-70, SOT-323

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100V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

210A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

2.8mOhm @ 80A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

111nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

8755pF @ 50V

FET功能

-

功耗(最大值)

3.5W (Ta), 300W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

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-

FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

60V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

9A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

5V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

170mOhm @ 4.5A, 5V

Vgs(th)(最大)@ ID

2V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

10nC @ 5V

Vgs(最大)

±15V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

275pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

1.5W (Ta), 28.5W (Tj)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

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漏極至源極電壓(Vdss)

80V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

82A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

6V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

6.1mOhm @ 41A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3.8V @ 41µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

33nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

2500pF @ 40V

FET功能

-

功耗(最大值)

2.5W (Ta), 74W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

10.9A (Ta), 38.7A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

7.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

17.4mOhm @ 10A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

30nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1470pF @ 50V

FET功能

-

功耗(最大值)

5W (Ta), 62.5W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

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-

功耗(最大值)

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