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RLS4150TE-11

RLS4150TE-11

僅供參考

型號 RLS4150TE-11
PNEDA編號 RLS4150TE-11
描述 DIODE GEN PURP 50V 200MA LLDS
制造商 Rohm Semiconductor
單價 請求報價
庫存 6,048
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 30 - 十二月 5 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

RLS4150TE-11資源

品牌 Rohm Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號RLS4150TE-11
類別半導體二極管與整流器整流器-單
數據表
RLS4150TE-11, RLS4150TE-11數據表 (總頁數: 3, 大小: 70.68 KB)
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RLS4150TE-11規格

制造商Rohm Semiconductor
系列-
二極管類型Standard
電壓-直流反向(Vr)(最大值)50V
電流-平均整流(Io)200mA
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果1V @ 200mA
速度Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
反向恢復時間(trr)4ns
當前-反向泄漏@ Vr100nA @ 50V
電容@ Vr,F2.5pF @ 0V, 1MHz
安裝類型Surface Mount
包裝/箱DO-213AC, MINI-MELF, SOD-80
供應商設備包裝LLDS
工作溫度-結點-65°C ~ 200°C

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.7V @ 1A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

75ns

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 1000V

電容@ Vr,F

17pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

DO-204AL, DO-41, Axial

供應商設備包裝

DO-204AL (DO-41)

工作溫度-結點

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1V @ 2A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

50ns

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 50V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

DO-204AC, DO-15, Axial

供應商設備包裝

DO-15

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

150V

電流-平均整流(Io)

2A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

950mV @ 2A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

25ns

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 150V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

DO-204AC, DO-15, Axial

供應商設備包裝

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工作溫度-結點

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.19V @ 90A

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

5µs

當前-反向泄漏@ Vr

10µA @ 100V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

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包裝/箱

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供應商設備包裝

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

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電流-平均整流(Io)

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1V @ 40V

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

50ns

當前-反向泄漏@ Vr

-

電容@ Vr,F

20pF @ 4V, 1MHz

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