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RM24C128DS-LSNI-B

RM24C128DS-LSNI-B

僅供參考

型號 RM24C128DS-LSNI-B
PNEDA編號 RM24C128DS-LSNI-B
描述 IC CBRAM 128K I2C 1MHZ 8SOIC
制造商 Adesto Technologies
單價 請求報價
庫存 6,930
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 九月 23 - 九月 28 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

RM24C128DS-LSNI-B資源

品牌 Adesto Technologies
ECAD Module ECAD
制造商零件編號RM24C128DS-LSNI-B
類別半導體內存IC內存
數據表
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RM24C128DS-LSNI-B規格

制造商Adesto Technologies
系列Mavriq™
內存類型Non-Volatile
內存格式CBRAM®
技術CBRAM
內存大小128kb (64B Page Size)
內存接口I²C
時鐘頻率1MHz
寫周期-字,頁100µs, 5ms
訪問時間-
電壓-供電1.65V ~ 3.6V
工作溫度-40°C ~ 85°C (TA)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
供應商設備包裝8-SOIC

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訪問時間

90ns

電壓-供電

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工作溫度

0°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

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內存接口

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時鐘頻率

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訪問時間

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電壓-供電

2.7V ~ 3.6V, 4.5V ~ 5.5V

工作溫度

0°C ~ 70°C (TC)

安裝類型

Surface Mount

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時鐘頻率

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寫周期-字,頁

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安裝類型

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時鐘頻率

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電壓-供電

2.5V ~ 5.5V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

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