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RM25C64DS-LSNI-T

RM25C64DS-LSNI-T

僅供參考

型號 RM25C64DS-LSNI-T
PNEDA編號 RM25C64DS-LSNI-T
描述 IC CBRAM 64K SPI 20MHZ 8SOIC
制造商 Adesto Technologies
單價 請求報價
庫存 8,028
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 一月 26 - 一月 31 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

RM25C64DS-LSNI-T資源

品牌 Adesto Technologies
ECAD Module ECAD
制造商零件編號RM25C64DS-LSNI-T
類別半導體內存IC內存
數據表
RM25C64DS-LSNI-T, RM25C64DS-LSNI-T數據表 (總頁數: 2, 大小: 227.83 KB)
PDFRM25C256DS-LTAI-T數據表 封面
RM25C256DS-LTAI-T數據表 頁面 2

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RM25C64DS-LSNI-T規格

制造商Adesto Technologies
系列Mavriq™
內存類型Non-Volatile
內存格式CBRAM®
技術CBRAM
內存大小64kb (32B Page Size)
內存接口SPI
時鐘頻率20MHz
寫周期-字,頁100µs, 2.5ms
訪問時間-
電壓-供電1.65V ~ 3.6V
工作溫度-40°C ~ 85°C (TA)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
供應商設備包裝8-SOIC

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時鐘頻率

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電壓-供電

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工作溫度

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安裝類型

Surface Mount

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內存接口

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內存格式

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內存大小

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內存接口

Parallel

時鐘頻率

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50µs

訪問時間

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電壓-供電

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工作溫度

0°C ~ 70°C (TC)

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內存大小

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內存接口

SPI

時鐘頻率

3MHz

寫周期-字,頁

-

訪問時間

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電壓-供電

1.8V ~ 5.5V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

供應商設備包裝

8-SOIC

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內存類型

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內存格式

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內存大小

64Mb (8M x 8)

內存接口

SPI - Quad I/O, QPI

時鐘頻率

108MHz

寫周期-字,頁

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訪問時間

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電壓-供電

2.7V ~ 3.6V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

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