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RMPG06DHE3_A/73

RMPG06DHE3_A/73

僅供參考

型號 RMPG06DHE3_A/73
PNEDA編號 RMPG06DHE3_A-73
描述 DIODE GEN PURP 200V 1A MPG06
制造商 Vishay Semiconductor Diodes Division
單價 請求報價
庫存 5,490
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 1 - 十二月 6 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

RMPG06DHE3_A/73資源

品牌 Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
制造商零件編號RMPG06DHE3_A/73
類別半導體二極管與整流器整流器-單
數據表
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RMPG06DHE3_A/73規格

制造商Vishay Semiconductor Diodes Division
系列-
二極管類型Standard
電壓-直流反向(Vr)(最大值)200V
電流-平均整流(Io)1A
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果1.3V @ 1A
速度Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間(trr)150ns
當前-反向泄漏@ Vr5µA @ 200V
電容@ Vr,F6.6pF @ 4V, 1MHz
安裝類型Through Hole
包裝/箱MPG06, Axial
供應商設備包裝MPG06
工作溫度-結點-55°C ~ 150°C

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500V

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.5V @ 9A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

250ns

當前-反向泄漏@ Vr

1µA @ 500V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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工作溫度-結點

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Standard

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1600V

電流-平均整流(Io)

250A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.3V @ 785A

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

60mA @ 1600V

電容@ Vr,F

-

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.1V @ 8A

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 100V

電容@ Vr,F

50pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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電流-平均整流(Io)

3A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.5V @ 9A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

150ns

當前-反向泄漏@ Vr

1µA @ 50V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

100V

電流-平均整流(Io)

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1V @ 100mA

速度

Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed

反向恢復時間(trr)

4ns

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 75V

電容@ Vr,F

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