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RN1113MFV,L3F

RN1113MFV,L3F

僅供參考

型號 RN1113MFV,L3F
PNEDA編號 RN1113MFV-L3F
描述 X34 PB-F VESM TRANSISTOR PD 150M
制造商 Toshiba Semiconductor and Storage
單價 請求報價
庫存 7,002
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 17 - 四月 22 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

RN1113MFV資源

品牌 Toshiba Semiconductor and Storage
ECAD Module ECAD
制造商零件編號RN1113MFV,L3F
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-單,預偏置

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RN1113MFV規格

制造商Toshiba Semiconductor and Storage
系列-
晶體管類型NPN - Pre-Biased
當前-集電極(Ic)(最大值)100mA
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)50V
電阻-基本(R1)47 kOhms
電阻-發射極基(R2)-
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce120 @ 1mA, 5V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic300mV @ 500µA, 5mA
當前-集電極截止(最大值)100nA (ICBO)
頻率-過渡-
功率-最大150mW
安裝類型Surface Mount
包裝/箱SOT-723
供應商設備包裝VESM

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Toshiba Semiconductor and Storage

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當前-集電極(Ic)(最大值)

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電阻-基本(R1)

-

電阻-發射極基(R2)

-

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

-

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

-

當前-集電極截止(最大值)

-

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晶體管類型

NPN - Pre-Biased

當前-集電極(Ic)(最大值)

100mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

50V

電阻-基本(R1)

10 kOhms

電阻-發射極基(R2)

-

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

160 @ 5mA, 10V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

250mV @ 300µA, 10mA

當前-集電極截止(最大值)

500nA

頻率-過渡

150MHz

功率-最大

125mW

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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NPN - Pre-Biased

當前-集電極(Ic)(最大值)

20mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

50V

電阻-基本(R1)

100 kOhms

電阻-發射極基(R2)

100 kOhms

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

80 @ 5mA, 10V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

100mV @ 500µA, 5mA

當前-集電極截止(最大值)

-

頻率-過渡

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功率-最大

150mW

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PNP - Pre-Biased

當前-集電極(Ic)(最大值)

500mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

50V

電阻-基本(R1)

220 Ohms

電阻-發射極基(R2)

4.7 kOhms

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

47 @ 50mA, 5V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

300mV @ 2.5mA, 50mA

當前-集電極截止(最大值)

10µA

頻率-過渡

200MHz

功率-最大

200mW

安裝類型

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當前-集電極(Ic)(最大值)

100mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

50V

電阻-基本(R1)

22 kOhms

電阻-發射極基(R2)

-

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

120 @ 1mA, 5V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

300mV @ 250µA, 5mA

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

頻率-過渡

200MHz

功率-最大

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