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RN1305,LF

RN1305,LF

僅供參考

型號 RN1305,LF
PNEDA編號 RN1305-LF
描述 TRANS PREBIAS NPN 0.1W USM
制造商 Toshiba Semiconductor and Storage
單價 請求報價
庫存 5,994
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 26 - 十二月 1 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

RN1305資源

品牌 Toshiba Semiconductor and Storage
ECAD Module ECAD
制造商零件編號RN1305,LF
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-單,預偏置

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RN1305規格

制造商Toshiba Semiconductor and Storage
系列-
晶體管類型NPN - Pre-Biased
當前-集電極(Ic)(最大值)100mA
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)50V
電阻-基本(R1)2.2 kOhms
電阻-發射極基(R2)47 kOhms
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce80 @ 10mA, 5V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic300mV @ 250µA, 5mA
當前-集電極截止(最大值)500nA
頻率-過渡250MHz
功率-最大100mW
安裝類型Surface Mount
包裝/箱SC-70, SOT-323
供應商設備包裝USM

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電阻-基本(R1)

10 kOhms

電阻-發射極基(R2)

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直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

30 @ 5mA, 5V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

150mV @ 500µA, 10mA

當前-集電極截止(最大值)

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直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

80 @ 5mA, 10V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

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電阻-發射極基(R2)

2.2 kOhms

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

30 @ 20mA, 5V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

150mV @ 500µA, 10mA

當前-集電極截止(最大值)

1µA

頻率-過渡

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電阻-基本(R1)

2.2 kOhms

電阻-發射極基(R2)

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直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

300 @ 500mA, 2V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

400mV @ 5mA, 500mA

當前-集電極截止(最大值)

500nA

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100 @ 1mA, 5V

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300mV @ 50µA, 500µA

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