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RN1425TE85LF

RN1425TE85LF

僅供參考

型號 RN1425TE85LF
PNEDA編號 RN1425TE85LF
描述 TRANS PREBIAS NPN 200MW SMINI
制造商 Toshiba Semiconductor and Storage
單價 請求報價
庫存 4,068
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 5 - 四月 10 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

RN1425TE85LF資源

品牌 Toshiba Semiconductor and Storage
ECAD Module ECAD
制造商零件編號RN1425TE85LF
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-單,預偏置

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RN1425TE85LF規格

制造商Toshiba Semiconductor and Storage
系列-
晶體管類型NPN - Pre-Biased
當前-集電極(Ic)(最大值)800mA
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)50V
電阻-基本(R1)470 Ohms
電阻-發射極基(R2)10 kOhms
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce90 @ 100mA, 1V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic250mV @ 1mA, 50mA
當前-集電極截止(最大值)500nA
頻率-過渡300MHz
功率-最大200mW
安裝類型Surface Mount
包裝/箱TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
供應商設備包裝S-Mini

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

50V

電阻-基本(R1)

47 kOhms

電阻-發射極基(R2)

22 kOhms

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

70 @ 10mA, 5V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

300mV @ 250µA, 5mA

當前-集電極截止(最大值)

500nA

頻率-過渡

250MHz

功率-最大

100mW

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

80 @ 5mA, 10V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

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當前-集電極截止(最大值)

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當前-集電極(Ic)(最大值)

100mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

50V

電阻-基本(R1)

10 kOhms

電阻-發射極基(R2)

4.7 kOhms

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

20 @ 5mA, 10V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

250mV @ 500µA, 10mA

當前-集電極截止(最大值)

500nA

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當前-集電極(Ic)(最大值)

100mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

50V

電阻-基本(R1)

10 kOhms

電阻-發射極基(R2)

-

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

100 @ 5mA, 10V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

150mV @ 500µA, 5mA

當前-集電極截止(最大值)

500nA (ICBO)

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功率-最大

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47 kOhms

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

68 @ 5mA, 5V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

300mV @ 500µA, 10mA

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