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RN1441ATE85LF

RN1441ATE85LF

僅供參考

型號 RN1441ATE85LF
PNEDA編號 RN1441ATE85LF
描述 TRANS PREBIAS NPN 0.2W S-MINI
制造商 Toshiba Semiconductor and Storage
單價 請求報價
庫存 2,196
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 26 - 十二月 1 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

RN1441ATE85LF資源

品牌 Toshiba Semiconductor and Storage
ECAD Module ECAD
制造商零件編號RN1441ATE85LF
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-單,預偏置

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RN1441ATE85LF規格

制造商Toshiba Semiconductor and Storage
系列-
晶體管類型NPN - Pre-Biased
當前-集電極(Ic)(最大值)300mA
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)20V
電阻-基本(R1)5.6 kOhms
電阻-發射極基(R2)-
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce200 @ 4mA, 2V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic100mV @ 3mA, 30mA
當前-集電極截止(最大值)100nA (ICBO)
頻率-過渡30MHz
功率-最大200mW
安裝類型Surface Mount
包裝/箱TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
供應商設備包裝S-Mini

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電阻-基本(R1)

47 kOhms

電阻-發射極基(R2)

10 kOhms

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

33 @ 5mA, 5V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

300mV @ 500µA, 10mA

當前-集電極截止(最大值)

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電阻-發射極基(R2)

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直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

100 @ 1mA, 5V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

300mV @ 100µA, 1mA

當前-集電極截止(最大值)

500nA (ICBO)

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

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電阻-發射極基(R2)

47 kOhms

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

80 @ 5mA, 10V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

250mV @ 300µA, 10mA

當前-集電極截止(最大值)

500nA

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電阻-發射極基(R2)

10 kOhms

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

35 @ 5mA, 10V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

250mV @ 300µA, 10mA

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